بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی
برای بهدست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایهها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای بهدست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایههای نازک سیلیکا به ...